ROHM Semiconductor BU9870FV-E2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-DFN-EP (2x2)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

108 mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

Schottky Diode (Body)