Rohm Semiconductor DTA113ZCAT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SST3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Transistor Polarity

Single PNP

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

3.1 x 1.5 x 1.15mm

Typical Resistor Ratio

10

Package Type

SOT-23

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Input Resistor

1 kΩ

Maximum Collector Emitter Voltage

-50 V

Minimum DC Current Gain

33

Pd - Power Dissipation

350 mW

DC Collector/Base Gain hfe Min

33 at - 5 mA, 5 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

DTA113ZCA

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTA113ZCAT116

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.62

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

附加功能

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

输出电压

100 mV

配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

33

电阻基(R1)

1 kOhms

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased