ROHM Semiconductor DTA113ZU3T106
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DTA113ZU3T106
2078-DTA113ZU3T106
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
大陆
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DTA113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
--最小包装量--
DTA113ZU3T106详情
ROHM Semiconductor DTA113ZU3T106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
33 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
1 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DTA113ZU3T106拓展信息
ROHM Semiconductor
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