ROHM Semiconductor DTA114EUA FRAT106
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DTA114EUA FRAT106
2078-DTA114EUA FRAT106
无类别的
4-SMD, No Lead
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor,Single PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio)
1最小包装量--
DTA114EUA FRAT106详情
ROHM Semiconductor DTA114EUA FRAT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
516
厂商
CTS-Frequency Controls
Product Status
活跃
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
Single PNP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTA114EUAFRAT106
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
7.11
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
516
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
ECCN 代码
EAR99
类型
TCXO
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
子类别
BIP 通用小信号
电压 - 供电
1.8V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
40 MHz
频率稳定性
±1.5ppm
输出量
削波正弦波
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
功能
-
基本谐振器
Crystal
最大电流源
2.5mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
200mW
扩频带宽
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
绝对牵引范围 (APR)
-
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
连续集电极电流
100mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-
DTA114EUA FRAT106拓展信息







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