Rohm Semiconductor DTA115EUBTL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

表面安装

YES

供应商器件包装

UMT3F

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

200 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

82

Typical Input Resistor

100 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

100 mA

RoHS

Details

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTA115EUBTL

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.32

系列

-

包装

MouseReel

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F3

输出电压

100 mV

配置

Single

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

82

电阻基(R1)

100 kOhms

连续集电极电流

20 mA

电阻-发射极基极(R2)

100 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased