ROHM Semiconductor DTA123EUAFRAT106
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DTA123EUAFRAT106
2078-DTA123EUAFRAT106
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor,PNP, Single PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
1最小包装量--
DTA123EUAFRAT106详情
ROHM Semiconductor DTA123EUAFRAT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
Single PNP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTA123EUAFRAT106
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.25
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
20
连续集电极电流
100mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTA123EUAFRAT106拓展信息







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