ROHM Semiconductor DTA124EEBHZGTL
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DTA124EEBHZGTL
2078-DTA124EEBHZGTL
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor,Single PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 (Ratio)
1最小包装量--
DTA124EEBHZGTL详情
ROHM Semiconductor DTA124EEBHZGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Footed
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Enclosure
Open Drip Proof
Manufacturer Part Number
2006DPSC31A-P
Manufacturer
Toshiba
RoHS
无
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
Single PNP
Package Description
SC-89, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
1.55
ECCN 代码
EAR99
类型
通用型
组成
Cast Iron
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
60 Hz
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
转速/转速
1,200 RPM
轴承类型
Ball
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
56
连续集电极电流
100mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
过载保护
None
相位
3
DTA124EEBHZGTL拓展信息







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