ROHM Semiconductor DTB113ZF
- 收藏
- 对比
DTB113ZF
2078-DTB113ZF
无类别的
--
大陆
立即发货

DTB113ZF datasheet pdf and Unclassified product details from ROHM Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
DTB113ZF详情
ROHM Semiconductor DTB113ZF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.68
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
ROHM 半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
DTB113ZF
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
ECCN 代码
EAR99
附加功能
DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
56
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
DTB113ZF拓展信息







哦! 它是空的。