Rohm Semiconductor DTB114EKFRAT146

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SMT3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

不用于新设计

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

DTB114

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

56

Typical Input Resistor

10 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

Single PNP

Part # Aliases

DTB114EKFRA

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

- 500 mA

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

- 50 V

Package Description

SC-59, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTB114EKFRAT146

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.61

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

Reel

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

输出电压

- 100 mV

配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

56

电阻基(R1)

10 kOhms

连续集电极电流

500mA

电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased