Rohm Semiconductor DTB123TCHZGT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SST3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Package Type

SOT-23

Typical Input Resistor

2.2

Collector Current (DC)

0.5(A)

Emitter-Collector Voltage (Max)

40(V)

DC Current Gain

100

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100 at 50 mA, 5 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

DTB123TCHZG

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum Operating Frequency

200 MHz

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DTB123TCHZGT116

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.59

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

类型

PNP

附加功能

内置偏置电阻

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

0.2(W)

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

200 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

电阻基(R1)

2.2 kOhms

连续集电极电流

500mA

集电极-发射器电压-最大值

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased