Rohm Semiconductor DTC114GU3HZGT106

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

供应商器件包装

UMT3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

不用于新设计

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

DTC114

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Typical Input Resistor

10 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

切割胶带

子类别

Transistors

配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased