Rohm Semiconductor DTC114TMFHAT2L

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

表面安装

YES

供应商器件包装

VMT3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

不用于新设计

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

DTC114

Package Type

VMT

Typical Input Resistor

10

Collector Current (DC)

0.1(A)

Emitter-Collector Voltage (Max)

50(V)

DC Current Gain

100

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

150 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

DTC114TMFHA

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

100 mA

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SC-105AA, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTC114TMFHAT2L

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.78

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

类型

NPN

附加功能

内置偏置电阻

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

Single

功率耗散

0.1(W)

功率 - 最大

150 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

100

电阻基(R1)

10 kOhms

连续集电极电流

100mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased