ROHM Semiconductor DTC115ECAT116

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

最小直流增益（hFE）

82

VCEsat-最大值

0.3 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant