Rohm Semiconductor DTC115EUBTL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

表面安装

YES

供应商器件包装

UMT3F

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Typical Resistor Ratio

1

Package Type

UMTF

Typical Input Resistor

100

Collector Current (DC)

0.1(A)

Emitter-Collector Voltage (Max)

50(V)

DC Current Gain

82

Pd - Power Dissipation

200 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

82 at 5 mA, 5 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

DTC115EUB

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Package Description

SC-85, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTC115EUBTL

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.61

系列

-

包装

卷带

类型

NPN

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F3

输出电压

100 mV

配置

Single

功率耗散

0.2(W)

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

82

电阻基(R1)

100 kOhms

连续集电极电流

100 mA

电阻-发射极基极(R2)

100 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased