ROHM Semiconductor DTD113ZS TP

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

SPT

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

DTD113

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DTD113ZSTP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.62

Part Package Code

SC-72

系列

-

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

300 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased + Diode

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 50mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

200 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

82

电阻基(R1)

1 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V