ROHM Semiconductor DTD114EK

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DTD114EK

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.16

容差

0.5 %

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

777 kΩ

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

子类别

BIP 通用小信号

额定功率

125 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

56

集电极-发射器电压-最大值

50 V

高度

650 µm