ROHM Semiconductor DTD114EKFRAT146
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DTD114EKFRAT146
2078-DTD114EKFRAT146
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor,Single NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio)
1最小包装量--
DTD114EKFRAT146详情
ROHM Semiconductor DTD114EKFRAT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Aluminum
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Maximum Cable Diameter (mm)
0.00953 mm
Minimum Cable Diameter (mm)
0.00792 mm
Angle
Straight
Manufacturer Part Number
07401002
Approvals
CSA, UL
Cable Style
Round
Manufacturer
Hubbell
Grip Type
Bushing Grip with Strain Relief
RoHS
无
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
Single NPN
Package Description
SC-59, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
1.63
ECCN 代码
EAR99
组成
Metallic
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
56
连续集电极电流
500mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTD114EKFRAT146拓展信息







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