ROHM Semiconductor DTD114ES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DTD114ES

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.66

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SXT324

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

兆赫晶体

端子表面处理

锡银铜

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

18.432 MHz

频率稳定性

±30ppm

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

70 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

负载电容

10pF

操作模式

Fundamental

频率容差

±25ppm

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

56

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-