Rohm Semiconductor DTD123ECHZGT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SST3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single NPN

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Typical Input Resistor

2.2 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

RoHS

Details

Maximum Operating Frequency

200 MHz

Brand

ROHM 半导体

Manufacturer

ROHM 半导体

Part # Aliases

DTD123ECHZG

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DTD123ECHZGT116

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.61

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

输出电压

300 mV

配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

200 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

39

电阻基(R1)

2.2 kOhms

连续集电极电流

500mA

电阻-发射极基极(R2)

2.2 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased