ROHM Semiconductor EDZ9.1B
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EDZ9.1B
2078-EDZ9.1B
无类别的
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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EDZ9.1B详情
ROHM Semiconductor EDZ9.1B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
44-TSOP II
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Memory Types
Volatile
Package Description
R-PDSO-F2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Reference Voltage-Nom
9.1 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
EDZ9.1B
Power Dissipation (Max)
0.15 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.24
Part Package Code
SC-79
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tube
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3 V ~ 3.6 V
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
基本部件号
IDT71V416
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-F2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
内存大小
4Mb (256K x 16)
二极管类型
泽纳电极
访问时间
12ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
最大电压允差
2.1%
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
30 Ω
EDZ9.1B拓展信息







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