ROHM Semiconductor EMB18T2R
- 收藏
- 对比
EMB18T2R
2078-EMB18T2R
无类别的
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
1最小包装量--
EMB18T2R详情
ROHM Semiconductor EMB18T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
EMT6
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Base Product Number
EMB18
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
150mW
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
最大集极截止电流
500nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
22kOhms
电阻-发射极基极(R2)
-
EMB18T2R拓展信息







哦! 它是空的。