ROHM Semiconductor KDZ9.1B
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KDZ9.1B
2078-KDZ9.1B
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KDZ9.1B详情
ROHM Semiconductor KDZ9.1B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
表面安装
YES
引脚数
11
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-F2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Reference Voltage-Nom
9.1 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
KDZ9.1B
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.67
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
1.4 kW
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-F2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
输入
Standard
最大电压允差
5.7%
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
300 A
工作测试电流
40 mA
输入电容
13 nF
NTC热敏电阻
无
KDZ9.1B拓展信息







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