ROHM Semiconductor MCR03EZPJ120-RL

底架

底座安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100 mW

正向电流

50 mA

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

30 mA

感应距离

3.175 mm

波长

890 nm

触摸屏

Infrared (IR)