ROHM Semiconductor MD51V65165E-50TAZ0AR
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MD51V65165E-50TAZ0AR
2078-MD51V65165E-50TAZ0AR
存储器
50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
1最小包装量--
MD51V65165E-50TAZ0AR详情
ROHM Semiconductor MD51V65165E-50TAZ0AR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
50
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
已出版
2003
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
电压 - 供电
3V~3.6V
基本部件号
MD51V65165E
工作电源电压
3.3V
内存大小
64Mb 4M x 16
访问时间
25ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
写入周期时间 - 字符、页面
84ns
地址总线宽度
12b
密度
64 Mb
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MD51V65165E-50TAZ0AR拓展信息
ROHM Semiconductor
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