ROHM Semiconductor ML60852ATBZ0MX

安装类型

表面贴装

包装/外壳

66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

供应商器件包装

66-TSOP II

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tray

零件状态

Obsolete

技术

SDRAM - DDR

电压 - 供电

2.3 V ~ 2.7 V

内存大小

128Mb (8M x 16)

时钟频率

200MHz

访问时间

700ps

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

15ns