ROHM Semiconductor ML610Q111-020TDZ07GL

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB-L

Package

Tube

Base Product Number

PSMP055N08

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

111A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

厂商

Panjit International Inc.

Power Dissipation (Max)

136W (Tc)

Product Status

活跃

Number of I/Os

15

Data Converters

A/D 6x10b

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

振荡器类型

Internal

速度

8.4MHz

内存大小

2K x 8

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

2.7V ~ 5.5V

核心处理器

nX-U8/100

周边设备

POR, PWM, WDT

程序存储器类型

FLASH

芯尺寸

8-Bit

程序内存大小

24KB (12K x 16)

连接方式

I²C, SSP, UART/USART

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.75V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4773 pF @ 40 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48 nC @ 7 V

漏源电压 (Vdss)

80 V

Vgs（最大值）

±20V

EEPROM 大小

2K x 16

场效应管特性

-