ROHM Semiconductor MSM5117400F-60J3FAR1
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MSM5117400F-60J3FAR1
2078-MSM5117400F-60J3FAR1
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IC DRAM 16M PARALLEL
1最小包装量--
MSM5117400F-60J3FAR1详情
ROHM Semiconductor MSM5117400F-60J3FAR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
内存大小
16Mb 4M x 4
访问时间
30ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
110ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MSM5117400F-60J3FAR1拓展信息
ROHM Semiconductor
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