ROHM Semiconductor RBQ10BGE65ATL
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RBQ10BGE65ATL
2078-RBQ10BGE65ATL
二极管 - 整流器 - 阵列
Radial
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Rectifier Diode Schottky Si 65V 10A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
RBQ10BGE65ATL详情
ROHM Semiconductor RBQ10BGE65ATL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Radial
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
-
Package
Bulk
厂商
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)
Product Status
活跃
Peak Rep Rev Volt
65(V)
Peak Forward Voltage
0.69@5A(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
DPAK
Maximum Forward Current
10000(mA)
Operating Temp Range
-55C to 150C
Rad Hardened
无
Rectifier Type
肖特基二极管
Mounting
表面贴装
Number of Elements per Chip
2
Qualification
-
Vr - Reverse Voltage
65 V
Ir - Reverse Current
70 uA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Mounting Styles
SMD/SMT
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage
65 V
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
If - Forward Current
10 A
RoHS
Details
Ifsm - Forward Surge Current
50 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
10A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
S
包装
卷带
尺寸/尺寸
1.200 L x 0.260 W (30.48mm x 6.60mm)
容差
±0.005%
终止次数
2
温度系数
±2ppm/°C
电阻
39 kOhms
组成
金属箔
功率(瓦特)
2W
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Si
引脚数量
2 +Tab
失败率
-
配置
双共阴极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
70 µA @ 65 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
690 mV @ 5 A
工作温度 - 结点
150°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
65 V
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
峰值反向电流
70(uA)
峰值非恢复性浪涌电流
50(A)
二极管配置
2x Common Cathode Pair
重复峰值反向电压
65V
产品
肖特基二极管
特征
Moisture Resistant, Non-Inductive
Vf-正向电压
690 mV
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
产品长度(mm)
6.6(mm)
座位高度(最大)
0.413 (10.49mm)
RBQ10BGE65ATL拓展信息
ROHM Semiconductor
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