Rohm Semiconductor RGCL60TS60DGC13
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RGCL60TS60DGC13
2078-RGCL60TS60DGC13
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 30A, FRD
--最小包装量--
RGCL60TS60DGC13详情
Rohm Semiconductor RGCL60TS60DGC13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247G
Test Conditions
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Current-Collector (Ic) (Max)
48 A
Product Status
活跃
Package
Tube
厂商
Rohm Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Package Type
TO-247GE
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4V
Pd - Power Dissipation
111 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
600
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Continuous Collector Current Ic Max
30 A
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single Collector, Single Emitter, Single Gate
功率耗散
111W
输入类型
Standard
功率 - 最大
111 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 30A
连续集电极电流
48A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
68 nC
集极脉冲电流(Icm)
120 A
Td(开/关)@25°C
44ns/186ns
开关能量
770μJ (on), 1.11mJ (off)
反向恢复时间(trr)
58 ns
产品类别
IGBT晶体管
RGCL60TS60DGC13拓展信息
ROHM Semiconductor
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