ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11
- 收藏
- 对比
RGS30TSX2DHRC11
2078-RGS30TSX2DHRC11
晶体管 - IGBT - 单个
2-SMD, Gull Wing Exposed Pad
大陆
立即发货

Transistor IGBT N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247N Tube
--最小包装量--
RGS30TSX2DHRC11详情
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
2-SMD, Gull Wing Exposed Pad
供应商器件包装
SMD
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
OSRAM Opto (ams OSRAM)
Product Status
Obsolete
Luminous Flux @ Current/Temperature
55lm (39lm ~ 71lm)
Temperature-Test
25°C
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Package Type
TO-247N
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
MSL
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Pd - Power Dissipation
267 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
RoHS
Details
Continuous Collector Current Ic Max
30 A
Brand
ROHM 半导体
Manufacturer
ROHM 半导体
Current-Collector (Ic) (Max)
30 A
Test Conditions
600V, 15A, 10Ohm, 15V
系列
Golden DRAGON®
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.236 W (7.00mm x 6.00mm)
颜色
Yellow
子类别
IGBTs
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
267W
电压 - 正向 (Vf) (类型)
2.3V
视角
120°
输入类型
Standard
功率 - 最大
267 W
测试电流
400mA
流明/瓦特@电流 - 测试
60 lm/W
最大电流
1A
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
波长
590nm (583nm ~ 595nm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 15A
连续集电极电流
30
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
41 nC
集极脉冲电流(Icm)
45 A
Td(开/关)@25°C
30ns/70ns
开关能量
740µJ (on), 600µJ (off)
反向恢复时间(trr)
157 ns
产品类别
IGBT晶体管
座位高度(最大)
0.075 (1.90mm)
RGS30TSX2DHRC11拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。