ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247N

RoHS

有

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-247N

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

MSL

-

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Pd - Power Dissipation

267 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Continuous Collector Current at 25 C

30 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Continuous Collector Current Ic Max

30 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

30 A

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 15A, 10Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

267W

输入类型

Standard

功率 - 最大

267 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 15A

连续集电极电流

30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

41 nC

集极脉冲电流（Icm）

45 A

Td（开/关）@25°C

30ns/70ns

开关能量

740µJ (on), 600µJ (off)

产品类别

IGBT晶体管