ROHM Semiconductor RGS50TSX2DGC11

包装/外壳

TO-247N-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247N

Package

Bulk

厂商

Pulse Electronics

Product Status

Obsolete

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-247N

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

MSL

-

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Pd - Power Dissipation

395 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Continuous Collector Current at 25 C

50 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Continuous Collector Current Ic Max

50 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Test Conditions

600V, 25A, 10Ohm, 15V

系列

-

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

395W

输入类型

Standard

功率 - 最大

395 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 25A

连续集电极电流

50A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

67 nC

集极脉冲电流（Icm）

75 A

Td（开/关）@25°C

37ns/140ns

开关能量

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

反向恢复时间(trr)

182 ns

产品类别

IGBT晶体管