Rohm Semiconductor RGT20NL65GTL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

TO-263AB

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

20 A

Test Conditions

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Operating Temperature (Max.)

175C

Operating Temperature Classification

AUTOMOTIVEC

Collector Current (DC)

20(A)

Rad Hardened

无

Operating Temperature (Min.)

-40C

Gate to Emitter Voltage (Max)

±30(V)

Mounting

表面贴装

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-263L

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

MSL

MSL 1 - Unlimited

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65V

Pd - Power Dissipation

53 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Continuous Collector Current at 25 C

20 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Continuous Collector Current Ic Max

10 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

卷带

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

2 +Tab

配置

Single

功率耗散

106W

输入类型

Standard

功率 - 最大

106 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 10A

连续集电极电流

20A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

22 nC

集极脉冲电流（Icm）

30 A

Td（开/关）@25°C

12ns/32ns

开关能量

-

产品类别

IGBT晶体管