ROHM Semiconductor RGT8NS65DGC9

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

8A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 4A, 50 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

65W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

40ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

650V

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 4A

关断时间-标准值（toff)

158 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

13.5nC

集极脉冲电流（Icm）

12A

Td（开/关）@25°C

17ns/69ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant