Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC13

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247G

Test Conditions

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Current-Collector (Ic) (Max)

70 A

Product Status

活跃

厂商

Rohm Semiconductor

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-247GE

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Pd - Power Dissipation

234 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Continuous Collector Current at 25 C

70 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Continuous Collector Current Ic Max

160 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

RoHS

Details

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

功率耗散

234W

输入类型

Standard

功率 - 最大

234 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 40A

连续集电极电流

70A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

79 nC

集极脉冲电流（Icm）

160 A

Td（开/关）@25°C

34ns/120ns

开关能量

-

产品类别

IGBT晶体管