Rohm Semiconductor RGTV80TS65GC11
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RGTV80TS65GC11
2078-RGTV80TS65GC11
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
--最小包装量--
RGTV80TS65GC11详情
Rohm Semiconductor RGTV80TS65GC11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247N
厂商
Rohm Semiconductor
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
78 A
Test Conditions
400V, 40A, 10Ohm, 15V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
234 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
78 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Continuous Collector Current Ic Max
40 A
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
234W
输入类型
Standard
功率 - 最大
234 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 40A
连续集电极电流
78A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
81 nC
集极脉冲电流(Icm)
160 A
Td(开/关)@25°C
39ns/113ns
开关能量
1.02mJ (on), 710μJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
RGTV80TS65GC11拓展信息
ROHM Semiconductor
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