Rohm Semiconductor RGW60TS65EHRC11

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247N

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

64 A

Test Conditions

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-247N

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

178 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Continuous Collector Current at 25 C

64 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Continuous Collector Current Ic Max

120 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

178W

输入类型

Standard

功率 - 最大

178 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

连续集电极电流

64A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

84 nC

集极脉冲电流（Icm）

120 A

Td（开/关）@25°C

37ns/101ns

反向恢复时间(trr)

146 ns

产品类别

IGBT晶体管