Rohm Semiconductor RGW80TK65EGVC11

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3PFM, SC-93-3

供应商器件包装

TO-3PFM

厂商

Rohm Semiconductor

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

39 A

Test Conditions

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

81 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

450

Continuous Collector Current at 25 C

39 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

81 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 40A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

110 nC

集极脉冲电流（Icm）

160 A

Td（开/关）@25°C

44ns/143ns

开关能量

760μJ (on), 720μJ (off)

反向恢复时间(trr)

102 ns

产品类别

IGBT晶体管