Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247N

厂商

Rohm Semiconductor

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

80 A

Test Conditions

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Package Type

TO-247N

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

214 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current at 25 C

80 A

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

214W

输入类型

Standard

功率 - 最大

214 W

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 40A

连续集电极电流

80A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

110 nC

集极脉冲电流（Icm）

160 A

Td（开/关）@25°C

42ns/148ns