ROHM Semiconductor RGWX5TS65DGC11

包装/外壳

TO-247N-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247N

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

348 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

450

Continuous Collector Current at 25 C

132 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

132 A

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 75A, 10Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

348 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A

连续集电极电流

132

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

213 nC

集极脉冲电流（Icm）

300 A

Td（开/关）@25°C

64ns/229ns

开关能量

2.39mJ (on), 1.68mJ (off)

反向恢复时间(trr)

101 ns

产品类别

IGBT晶体管