ROHM Semiconductor UMF20NTR
- 收藏
- 对比
UMF20NTR
2078-UMF20NTR
集成电路(IC)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT Trans Digital BJT NPN 50V 150mA/100mA 6-Pin UMT T/R
--最小包装量--
UMF20NTR详情
ROHM Semiconductor UMF20NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
UMT6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
UMF20NTR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
SC-88
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Risk Rank
5.84
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
10
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA, 150mA
Base Product Number
UMF20
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
系列
-
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
最大集极截止电流
500nA, 100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
250MHz, 180MHz
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
20
电阻基(R1)
47kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
UMF20NTR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。