UMZ12NT106
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ROHM Semiconductor UMZ12NT106

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型号

UMZ12NT106

utmel 编号

2078-UMZ12NT106

商品类别

二极管 - 齐纳 - 阵列

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD3

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UMZ12NT106
UMZ12NT106 ROHM Semiconductor DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD3

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UMZ12NT106详情

ROHM Semiconductor UMZ12NT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • 容差

    ±8%

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 额定功率

    200mW

  • 电压 - 额定直流

    12V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    UMZ12

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    1 Pair Common Anode

  • 阻抗

    30Ohm

  • 元素配置

    共阳极

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100nA @ 9V

  • 功率耗散

    200mW

  • 最大反向漏电电流

    100nA

  • 阻抗-最大

    30Ohm

  • 测试电流

    5mA

  • 参考电压

    12V

  • 齐纳电压

    12V

  • 电压允差

    8%

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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