ROHM Semiconductor US6M1
- 收藏
- 对比
US6M1
2078-US6M1
无类别的
--
大陆
立即发货

US6M1 datasheet pdf and Unclassified product details from ROHM Semiconductor stock available at utmel
--最小包装量--
US6M1详情
ROHM Semiconductor US6M1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.68
Drain Current-Max (ID)
1.4 A
Manufacturer Part Number
US6M1
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1 A
漏极-源极导通最大电阻
0.38 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
US6M1拓展信息







哦! 它是空的。