对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 端子间距 | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 输出特性 | 内存宽度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | I/O类型 | 内存IC类型 | 刷新周期 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | ||||||||||||||||||||
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![]() | K4M64163PK-BG1L | Samsung Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 54 | K4M64163PK-BG1L | 有 | Obsolete | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | FBGA, BGA54,9X9,32 | 5.82 | 7 ns | 111 MHz | 1 | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -25 °C | PLASTIC/EPOXY | FBGA | BGA54,9X9,32 | SQUARE | GRID ARRAY, FINE PITCH | 1.8 V | 未说明 | e3 | 有 | 哑光锡 | BOTTOM | BALL | 225 | 0.8 mm | compliant | S-PBGA-B54 | 不合格 | 1.8 V | OTHER | 0.05 mA | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 0.0003 A | 67108864 bit | COMMON | 同步剧 | 4096 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 |



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