SamHop Microelectronics Corp. STP80L60
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STP80L60详情
SamHop Microelectronics Corp. STP80L60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
SAMHOP MICROELECTRONICS CORP
Package Description
,
Drain Current-Max (ID)
80 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
250 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
420 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
130 W
反馈上限-最大值 (Crss)
235 pF
STP80L60拓展信息
SamHop Microelectronics Corp.
Microsemi Corporation
SamHop Microelectronics Corp.
SamHop Microelectronics Corp.
SamHop Microelectronics Corp.
SamHop Microelectronics Corp.
Microsemi Corporation
SamHop Microelectronics Corp.
SamHop Microelectronics Corp.
SamHop Microelectronics Corp.








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