CL21B102KDCNNND详情
Samsung CL21B102KDCNNND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
材料
Ceramic
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
200 V
Voltage Rating (DC)
200 V
Operating Temperature (Max)
125 °C
RoHS
Compliant
容差
10 %
电容量
1 nF
电介质
X7R
高度
1.45 mm
CL21B102KDCNNND拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
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Samsung
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AP Memory
Samsung Semiconductor








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