CL21B104KCFNNNF详情
Samsung CL21B104KCFNNNF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
包装/外壳
0805
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
材料
Ceramic
介电材料
CERAMIC
终端数量
2
Voltage - Rated
100VDC
Product Depth (mm)
1.25(mm)
Wire Form
不需要
Operating Temp Range
-55C to 125C
Case Style
陶瓷芯片
Product Diameter (mm)
Not Required(mm)
Mounting Styles
表面贴装
Temp Coeff (Dielectric)
X7R
Lead Diameter (nom)
Not Required(mm)
Tolerance (+ or -)
10%
Rad Hardened
无
Microwave Application
NO
Seated Plane Height
Not Required(mm)
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
100 V
Voltage Rating (DC)
100 V
Operating Temperature (Max)
125 °C
RoHS
Non-Compliant
Package Description
, 0805
Package Style
SMT
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CL21B104KCFNNNF
Package Shape
矩形包装
Manufacturer
Samsung Electro-Mechanics
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS
Risk Rank
4.23
Part Package Code
0805
包装
卷带
容差
10 %
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
15% ppm/°C
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8532.24.00.20
电容量
100000(pF)
技术
STANDARD
结构
SMT 芯片
终端样式
PAD
电容式
陶瓷电容器
电介质
X7R
失败率
不需要
温度特性代码
X7R
多层
有
额定(DC)电压(URdc)
100 V
尺寸代码
0805
正容差
10%
负公差
10%
产品长度(mm)
2(mm)
高度
1.45 mm
宽度
1.25 mm
长度
2 mm
产品高度(mm)
1.25(mm)
达到SVHC
compliant
无铅
无铅
CL21B104KCFNNNF拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
AP Memory
Samsung Semiconductor








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