CL21B223MBANNNC详情
Samsung CL21B223MBANNNC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
Ceramic
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
50 V
Voltage Rating (DC)
50 V
Operating Temperature (Max)
125 °C
RoHS
Non-Compliant
容差
20 %
电容量
22 nF
电介质
X7R
高度
1.45 mm
CL21B223MBANNNC拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
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AP Memory
Samsung Semiconductor








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