CL21B684KBFNNNE详情
Samsung CL21B684KBFNNNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
材料
Ceramic
介电材料
CERAMIC
终端数量
2
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
50 V
Voltage Rating (DC)
50 V
Operating Temperature (Max)
125 °C
Package Description
CHIP
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CL21B684KBFNNNE
Package Shape
矩形包装
Manufacturer
Samsung Electro-Mechanics
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS
Risk Rank
5.67
包装
TR, EMBOSSED, 7 INCH
容差
10 %
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
温度系数
15% ppm/°C
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
电容量
680 nF
电容式
陶瓷电容器
电介质
X7R
温度特性代码
X7R
多层
有
额定(DC)电压(URdc)
50 V
尺寸代码
0805
正容差
10%
负公差
10%
高度
1.45 mm
达到SVHC
compliant
CL21B684KBFNNNE拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
AP Memory
Samsung Semiconductor








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