CL31B475MAHNNNE详情
Samsung CL31B475MAHNNNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
材料
Ceramic
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
25 V
Voltage Rating (DC)
25 V
Operating Temperature (Max)
125 °C
RoHS
Compliant
容差
20 %
终端
Wraparound
电容量
4.7 µF
电介质
X7R
高度
1.4 mm
长度
3.2 mm
CL31B475MAHNNNE拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
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AP Memory
Samsung Semiconductor








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